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产品信息
CSD13381F4
制造商Texas Instruments
制造商零件编号CSD13381F4
描述MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期16 周
详细描述表面贴装-N-沟道-12V-2.1A（Ta）-500mW（Ta）-3-PICOSTAR
CSD13381F4
数据列表CSD13381F4;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列NexFET™
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.1A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）180 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）1.4nC @ 4.5V
Vgs（值）8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）200pF @ 6V
FET 功能-
功率耗散（值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装3-PICOSTAR
封装/外壳3-XFDFN