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产品信息
CSD13381F4
制造商Texas Instruments
制造商零件编号CSD13381F4
描述MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期16 周
详细描述表面贴装-N-沟道-12V-2.1A(Ta)-500mW(Ta)-3-PICOSTAR
CSD13381F4
数据列表CSD13381F4;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列NexFET™
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.1A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)180 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)1.4nC @ 4.5V
Vgs(值)8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)200pF @ 6V
FET 功能-
功率耗散(值)500mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装3-PICOSTAR
封装/外壳3-XFDFN